温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

在形成覆盖强电介质电容器的层间绝缘膜（１４）后，形成氢扩散防止膜（１８）、蚀刻阻止膜（１９）以及层间绝缘膜（２０）。然后，通过单金银线织法，在层间绝缘膜（２０）内，形成具有ＴａＮ膜（２１）（势垒金属膜）以及Ｃｕ膜（２２）的配线。其后，进一步...
该专利属于富士通微电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士通微电子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。