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氮化物半导体器件的制造方法及氮化物半导体器件技术
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下载氮化物半导体器件的制造方法及氮化物半导体器件的技术资料
文档序号:3237330
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本发明提供一种氮化物半导体器件的制作方法,在芯片分离通过晶片工艺在基板上制造的元件单元时,能够减少研磨、切断等工序,能够重复使用基板。采用预先确定形成封闭曲线的集合晶体生长速度慢的缺陷的缺陷集合区域(H)和晶体生长速度快的低缺陷区域(ZY)...
该专利属于住友电气工业株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过住友电气工业株式会社授权不得商用。
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