下载氮化物半导体器件的制造方法及氮化物半导体器件的技术资料

文档序号:3237330

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本发明提供一种氮化物半导体器件的制作方法,在芯片分离通过晶片工艺在基板上制造的元件单元时,能够减少研磨、切断等工序,能够重复使用基板。采用预先确定形成封闭曲线的集合晶体生长速度慢的缺陷的缺陷集合区域(H)和晶体生长速度快的低缺陷区域(ZY)...
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