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一种氮化镓基半导体器件具有ｐ型层，所述ｐ型层是包含ｐ型杂质并呈现ｐ型导电性的氮化镓化合物半导体层。所述ｐ型层包括顶部部分和位于所述顶部部分下的内部部分。所述内部部分包含所述ｐ型杂质元素和与之结合的氢。...
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