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制造一种ＲＥＳＵＲＦ型半导体器件，在漏区（２）上方具有漂移区（４）。在穿过掩模（６）中开口形成沟槽（８）。在沟槽的侧壁和基部上沉积沟槽绝缘层（１２），之后是过蚀刻步骤以从沟槽的基部以及与第一主表面相邻的沟槽侧壁的顶部移除沟槽绝缘层（１０），...
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