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基于氮化物的半导体发光二极管制造技术
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下载基于氮化物的半导体发光二极管的技术资料
文档序号:3237129
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本发明提供了一种基于氮化物的半导体LED。在该基于氮化物的半导体LED中,n型氮化物半导体层形成在衬底上,该n型氮化物半导体层具有被分成具有指状结构的第一区域和第二区域的顶面,以便第一区域和第二区域彼此啮合。在n型氮化物半导体层的第二区域上...
该专利属于三星电机株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电机株式会社授权不得商用。
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