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本发明是有关于一种柔性单晶膜和一种由单晶片制造所述柔性单晶膜的方法。即，通过利用各种晶片薄化技术，本发明可将包括基底晶片、一个或一个以上埋入绝缘体层以及单晶层的绝缘体上硅（ｓｉｌｉｃｏｎ－ｏｎ－ｉｎｓｕｌａｔｏｒ，ＳＯＩ）晶片制造成具有所需...
该专利属于汉阳大学校产学协力团所有，仅供学习研究参考，未经过汉阳大学校产学协力团授权不得商用。

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