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本发明提供了一种芯片，包括：有源半导体区和场效应晶体管（“ＦＥＴ”），所述场效应晶体管（“ＦＥＴ”）具有全部置于所述有源半导体区内的沟道区、源极区和漏极区。所述ＦＥＴ具有在所述沟道区的长度方向上的纵向和所述沟道区的宽度方向上的横向。掩埋介质...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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