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本发明公开了一种半导体器件的结构及其制造方法。其中缩小了栅电极和电容上部电极之间的距离，从而当完全蚀刻隔离绝缘层以形成侧隔离物时，保留在栅电极和电容上部电极之间的隔离绝缘层不会露出硅衬底。因此，当形成硅化物掩模图案从而在后续过程中形成自对准...
该专利属于东部电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东部电子股份有限公司授权不得商用。

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