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本发明涉及一种要被转移到另一基片上的薄层（２８）或芯片的预加工方法，该方法包括在所述薄层或芯片的表面上形成被称作粘结层的至少一个层（２５）和被称作第一阻挡层的至少一个层（２２），所述粘结层由相对于所述阻挡层的材料具有蚀刻选择性的材料形成。...
该专利属于特拉希特技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过特拉希特技术公司授权不得商用。

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