温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种制造半导体器件的鳍式ＦＥＴ的方法。该方法包括以下步骤：在半导体衬底上依次沉积第一绝缘膜和第二绝缘膜；通过使用第一掩模蚀刻该第一绝缘膜和该第二绝缘膜，以形成沟槽；以及在该沟槽中沉积第一导体。该方法能够简化鳍式ＦＥＴ的制造过程，并且通过降低...
该专利属于东部电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东部电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。