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提供了磁电子存储器元件结构和用于制造该结构的方法，其使用阻挡层作为材料移除停止层。该方法包括形成数位线（２６），其至少部分地安置在介电层（２４）中。介电材料层位于互连叠层上面。淀积传导阻挡层（４０、４２），其具有第一部分（４０）和第二部分（...
该专利属于飞思卡尔半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞思卡尔半导体公司授权不得商用。

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