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本发明公开了一种基于CMP刻蚀技术制备凹槽栅增强型HEMT器件的方法，包括：在用于制作HEMT器件的外延片上设置掩模，并使势垒层的栅极区域从所述掩模中暴露出；对所述外延片设置有掩模的一侧表面进行抛光处理，其中采用的抛光液还能选择性腐蚀所述势...
该专利属于苏州能屋电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州能屋电子科技有限公司授权不得商用。

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