下载改性多孔质二氧化硅膜的制法、由该制法所得改性多孔质二氧化硅膜及含该膜的半导体装置的技术资料

文档序号:3236039

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本发明提供一种改性多孔质二氧化硅膜,其对多孔质二氧化硅膜,在减压(30kPa以下)下使具有至少各1个的疏水性基团(碳数1~6的烷基或C↓[6]H↓[5]基团)和可聚合性基团(氢原子、羟基或卤原子)的疏水性化合物进行气相聚合反应,使该膜中的空...
该专利属于株式会社爱发科;三井化学株式会社;东京毅力科创株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社爱发科;三井化学株式会社;东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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