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本发明提出了一种简单的完全不采用掺杂在一维半导体纳米材料上实现高性能ＣＭＯＳ电路的制备和集成的方法。本发明的ＣＭＯＳ电路中的ｐ型场效应晶体管是通过控制高功函数的金属电极直接与碳纳米管或其它一维半导体纳米材料的价带交换电子来实现的，ｎ型场效应...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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