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本发明公开了一种ＧａＮ基场效应管，该ＧａＮ基场效应管包括：栅极，位于栅极两侧的源极和漏极；其中，栅极、源极和漏极位于衬底材料顶层ＡｌＧａＮ外延层上，源极与ＡｌＧａＮ外延层以及漏极与ＡｌＧａＮ外延层之间通过退火合金形成欧姆接触；在源极和漏极之...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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