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本发明公开了一种存储器元件的制造方法。首先，在基底上依次形成隧穿介电层、第一硅材料层及掩模层。而后，在基底上形成沟槽，其都用隔离结构填满。接着，移除掩模层以暴露出第一硅材料层。随后，通过选择性硅生长工艺在第一硅材料层上形成第二硅材料层，用以...
该专利属于力晶半导体股份有限公司;株式会社瑞萨科技所有，仅供学习研究参考，未经过力晶半导体股份有限公司;株式会社瑞萨科技授权不得商用。

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