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本发明公开了一种半导体集成电路器件及其制造方法，该半导体集成电路器件包括阻变层，以及分别位于阻变层两侧且相对的第一电极和第二电极，其中，包括由至少两种材料交替形成的至少两层、氧化物薄膜，以在施加第一电压时仅在指定材料形成的氧化物薄膜中生成导...
该专利属于厦门半导体工业技术研发有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门半导体工业技术研发有限公司授权不得商用。

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