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本发明公开了一种半导体元件的制造方法。此方法包括在基底上形成栅极结构，其包括图案化栅介电层、图案化栅极导电层、顶盖层与间隙壁。接着，在栅极结构两侧的基底中形成第一凹槽与第二凹槽。然后，在第一凹槽与第二凹槽的底表面上形成保护层，然后，进行蚀刻...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

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