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一种利用ＵＨＶ／ＣＶＤ在衬底上低温生长ＳｉＧｅ材料的方法，其特征在于，生长材料的步骤如下：步骤１：取一衬底，清洗；步骤２：将清洗过的衬底高温除气；步骤３：将衬底传入生长室；步骤４：将衬底加热脱氧；步骤５：将衬底降温；步骤６：向生长室通入源气...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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