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本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底、一通道区、多个第一杂质区、一栅极介电层、一栅极下导电层、多个第一接触点、多个可编程隔离层以及一上导电层；该通道区位在该基底中；所述杂质区位在该基底中，且分别位在该通道...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

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