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公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括在衬底上形成的ＮＭＯＳ晶体管和ＰＭＯＳ晶体管，所述ＮＭＯＳ晶体管和ＰＭＯＳ晶体管分别包括栅极、源极和漏极掺杂区，以及在栅极两侧形成的侧墙；其特征在于：所述ＮＭＯＳ晶体管栅极两侧的侧墙具有拉应力，所述Ｐ...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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