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将形成于衬底中的过孔平坦化的方法技术
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下载将形成于衬底中的过孔平坦化的方法的技术资料
文档序号:3234839
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本发明提供了一种构造电子装置的方法。提供具有相对的第一(28)和第二(36)表面且其中形成了集成电路的衬底(22)。在该衬底的第一表面上形成保护层(44)。贯穿保护层直至衬底的第一表面中形成过孔开口(52)。在于过孔开口中形成导电过孔(50...
该专利属于飞思卡尔半导体公司所有,仅供学习研究参考,未经过飞思卡尔半导体公司授权不得商用。
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