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一种栅极结构，包括：半导体衬底，位于半导体衬底上的隧穿氧化层，位于隧穿氧化层上的浮置栅极，位于浮置栅极两侧的半导体衬底中的源／漏极，位于源／漏极以外半导体衬底及浮置栅极上的栅间介电层，位于浮置栅极上的控制栅极及位于浮置栅极和控制栅极以外的层...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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