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本发明公开了一种高电子迁移率晶体管，包括：一通道层，设置于一基底上；一阻障层，设置于所述通道层上；一第一化合物半导体层，设置于所述阻障层上；以及，一第二化合物半导体层，设置于所述阻障层和所述第一化合物半导体层之间。其中，所述第一化合物半导体...
该专利属于世界先进积体电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过世界先进积体电路股份有限公司授权不得商用。

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