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本发明涉及一种制造DRAM电容器的方法，包括如下步骤：在半导体基板上依次形成阻挡层、第一模制层、第一隔离层、第二模制层、第二隔离层和牺牲层后，贯通以形成多个槽孔；在所有的槽孔中形成柱形下电极；在柱形下电极的外侧形成侧墙；基于所述侧墙刻蚀第二...
该专利属于真芯（北京）半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过真芯（北京）半导体有限责任公司授权不得商用。

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