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本发明涉及一种电容器结构及其制作方法、存储器。其中方法包括：提供衬底；于所述衬底上形成柱状的第一导电结构；于所述衬底上形成第二导电结构，其中所述第二导电结构环绕所述第一导电结构，且与所述第一导电结构间隔设置，所述第一导电结构和所述第二导电结...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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