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本发明提供一种非易失性存储器的制造方法，包括：于基底上依序形成穿隧介电层、第一导体层与第一掩模层；于第一掩模层、第一导体层、穿隧介电层与基底中形成隔离结构；移除第一掩模层；移除源极区域与漏极区域的第一导体层与穿隧介电层；于源极区域与漏极区域...
该专利属于力晶半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过力晶半导体股份有限公司授权不得商用。

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