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本发明公开了用于Ｓｉ和金属纳米晶体成核的等离子体表面处理。本发明提供了诸如非易失性存储器件的一种器件及用于在集成处理工具中形成该器件的方法。该方法包括在衬底上沉积隧道氧化物层，将该隧道氧化物层暴露于等离子体，以便该等离子体改变该隧道氧化物的...
该专利属于应用材料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料股份有限公司授权不得商用。

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