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一种半导体器件（１０），其包括多个由导电材料（１６）形成的柱（２２）。所述柱通过使用多个纳米晶体（２０）作为硬掩模图案化导电材料（１６）而形成。所述导电材料的厚度决定了所述柱的高度。同样，所述柱的宽度由纳米晶体（２０）的直径决定。在一个实施...
该专利属于飞思卡尔半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞思卡尔半导体公司授权不得商用。

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