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一种可提高半导体器件性能的沟槽隔离结构制作方法，该半导体器件制作在硅衬底上且其包括ＮＭＯＳ和ＰＭＯＳ管，该沟槽隔离结构包括分别设置在ＮＯＭＳ和ＰＭＯＳ管两侧的第一和第二沟槽隔离单元，该沟槽隔离结构制作方法先进行步骤（１）在该衬底上沉积保护阻...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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