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本发明涉及一种在支撑衬底上制造包括至少一个薄层的结构的方法，其特别在于它至少包括以下步骤：从所述的支撑衬底形成所谓的包括非晶体层、包含点缺陷并紧邻位于所述的非晶体层下面的第一晶体层、位于中间结构下部分的第二晶体层的中间结构；结合接收衬底到所...
该专利属于S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司授权不得商用。

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