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一种处理器件的衬底的方法，包括以下步骤。在所述衬底（１２）之上形成覆层（１４）。在所述覆层（１４）之上形成虚设层（ＤＬ），所述覆层具有顶表面。蚀刻所述虚设层（ＤＬ）以形成不同的宽度的构图的虚设部件（ＤＡ、ＤＢ、ＤＣ），并且暴露所述虚设部件的...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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