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本发明公开了一种基于负微分迁移率的平面纳米电磁辐射器结构，其由下往上依次包括绝缘衬底、具负微分迁移率的有源层及绝缘保护层，有源层的两侧还分别设有侧面电极，该有源层包括位于有源层左右两端的低电阻区域、位于有源层中间的电场强度分布不均匀的高电阻...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

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