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晶体管（５０）包括位于有源区（５２）中的源区（７２）和漏区（７４）。栅极（５４）位于有源区的沟道区域之上，其中沟道区域分开源区和漏区。晶体管进一步包括在栅极之下并从源区到漏区延伸的至少一个应力修正器和电容降低特征（５８，６０），用于降低与栅...
该专利属于飞思卡尔半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞思卡尔半导体公司授权不得商用。

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