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本发明提出一种低热阻发光二极管芯片的结构及其制作方法，包括完成电极制作的含ｐ、ｎ电极，半导体外延层和蓝宝石衬底的ＬＥＤ发光芯片，沉积在减薄后的蓝宝石衬底的底面的金属反光层，其特征在于，所述芯片进一步包括：（ａ）低热阻散热基片，其尺寸比ＬＥＤ...
该专利属于武汉华灿光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉华灿光电有限公司授权不得商用。

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