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本发明公开了一种用于沟槽隔离的本征吸杂的方法，在硅片上定义出沟槽；然后用化学药液进行清洗，在所述沟槽内生长衬垫氧化层；在氮气、氩气或者氨气或者是它们的混合气体下快速热退火，并快速冷却，接着在所述氧化层上再缓慢生长一层第二氧化层；采用高密度等...
该专利属于上海华虹ＮＥＣ电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹ＮＥＣ电子有限公司授权不得商用。

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