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本发明涉及一种半导体器件硬掩模图案及其形成方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成第一硬掩模图案；形成第二硬掩模图案，所述第二硬掩模图案包括基本上垂直于第一硬掩模图案的第一图案和位于第一硬掩模图案之间的第二图案；在第一图案之间形成第三硬掩模图...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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