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一种形成用于半导体器件的层间电介质的方法，该方法使气孔最少化。在用于形成用作层间电介质的ＰＭＤ氧化膜的过程中，由于在低压受控的气氛下添加ＴＥＯＳ杂质，从而提高了间隙填充特性。因此，使在ＰＭＤ氧化膜中的气孔最少化。结果，防止了接触孔通过气孔相...
该专利属于东部高科股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东部高科股份有限公司授权不得商用。

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