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本发明涉及一种电流限制的相变化存储器装置结构，其中使用具有１０ｎｍ级尺寸的纳米粒子层以形成电流限制层或作为用于自下部绝缘体层形成电流限制层的硬掩模。该纳米粒子优选在底表面上自我对准和／或自我平坦化。该电流限制层可形成于底导电板内、相变化材料...该专利属于旺宏电子股份有限公司;国际商业机器股份有限公司;奇梦达公司所有，仅供学习研究参考，未经过旺宏电子股份有限公司;国际商业机器股份有限公司;奇梦达公司授权不得商用。