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一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成多个包括钨电极的栅极图案，实施等离子体氧化工艺以在栅极图案的表面上形成覆盖层，在形成有覆盖层的衬底上形成蚀刻阻挡层，形成层间电介质层以填充栅极图案之间的间隙，和蚀刻栅极图案之间的层间电介质层以形成...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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