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一种形成半导体存储器件隔离层的方法。根据本发明的一个实施方案，提供其中形成有沟槽的半导体衬底。在包括沟槽的半导体衬底上形成第一介电层。通过实施第一蚀刻工艺以除去第一介电层的一部分来加宽沟槽的开口宽度，接着进行退火工艺。通过实施第二蚀刻工艺，...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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