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本发明提供一种半导体器件及其制造方法和设计方法。其中该半导体器件具有：第一导电类型的第一和第二有源区，设置于半导体衬底上；第二导电类型的第三和第四有源区，设置于半导体衬底上，第二和第四有源区的尺寸分别大于第一和第三有源区的尺寸；第一导电图案...
该专利属于富士通微电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士通微电子株式会社授权不得商用。

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