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本实用新型涉及一种深沟槽大功率Ｐ型ＭＯＳ器件。这种ＭＯＳ器件在俯视平面上，中心区设有并联单胞组成的阵列，单胞阵列的外围设有终端保护结构，终端保护结构由位于内圈的至少一个保护环和位于外圈的一个截止环组成，由于保护环和截止环均采用沟槽型导电多晶...
该专利属于苏州硅能半导体科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州硅能半导体科技股份有限公司授权不得商用。

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