温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种高速高压双极晶体管，是具有新型横向结构的栅辅助晶体管（ＧＡＴ）。在芯片平面上看，其基区的电极引出区是与栅区有重叠或部分重叠的许多孤立区域，这些孤立区域分布成列，每列中的各个引出区又相互隔开；同时，发射区包围在各个基区电极引出区的周围，呈...
该专利属于北京工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京工业大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。