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本发明公开了一种增强光模式空间限制的AlGaAs光波导制作方法，包括：S1，在GaAs衬底晶圆上生长AlGaAs外延层；S2,将AlGaAs外延层上法的粘附剂与临时载片进行键合；S3，通过刻蚀或腐蚀完全去除GaAs衬底；S4，在另一种材料的...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

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