一种增强光模式空间限制的AlGaAs光波导制作方法技术

本发明专利技术公开了一种增强光模式空间限制的AlGaAs光波导制作方法，包括：S1，在GaAs衬底晶圆上生长AlGaAs外延层；S2,将AlGaAs外延层上法的粘附剂与临时载片进行键合；S3，通过刻蚀或腐蚀完全去除GaAs衬底；S4，在另一种材料的衬底晶圆上旋涂BCB并固化；S5，将AlGaAs外延层表面与BCB表面键合；S6，去除临时载片及粘附剂；S7，光刻并刻蚀出AlGaAs条形结构，完成AlGaAs光波导制作。本发明专利技术制作的AlGaAs光波导，具有更高的光模式空间限制作用，能有效缩小光模式尺寸，减小光传输损耗，降低波导弯曲半径。半径。半径。

【技术实现步骤摘要】
一种增强光模式空间限制的AlGaAs光波导制作方法


[0001]本专利技术涉及光波导制作方法，尤其涉及一种增强光模式空间限制的AlGaAs光波导制作方法。

技术介绍

[0002]非线性光学与量子光学技术是近年来飞速发展的学科，通过AlGaAs、Si、铌酸锂等非线性光学材料特性，可实现光学倍频、分频、参量放大等经典光学器件，也可实现双光子产生、纠缠光子源等光量子器件。AlGaAs材料相比Si、铌酸锂等材料，具有较强的二阶、三阶光学非线性系数，且具有与GaAs激光器单片集成的潜力，是重要的集成光子或集成光量子器件材料。
[0003]目前AlGaAs非线性光学器件面临的困难之一是GaAs衬底与AlGaAs材料折射率相近，通常AlGaAs波导的芯层采用Al(铝)组分相对较低，光限制层采用比芯层Al组分更高的AlGaAs，从而，令光限制层折射率低于芯层折射率，形成光波导。这种通过Al组分变化的方法产生的芯层与光限制层折射率对比较小，导致波导模式扩散在芯层以外的部分较多，从而导致波导模式尺寸较大、传输损耗大、波导弯曲半径大等问题，限制了AlGaAs本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种增强光模式空间限制的AlGaAs光波导制作方法，其特征在于，包括步骤如下：S1，在半绝缘GaAs衬底上进行，得到AlGaAs外延层；S2，将AlGaAs外延层上的粘附剂和临时载片进行键合；S3，完全去除GaAs衬底，漏出AlGaAs外延层，完成AlGaAs晶圆制作；S4，在另一种材料的衬底晶圆上旋涂BCB并固化，完成BCB圆片制作；S5，将AlGaAs晶圆的AlGaAs外延层表面与BCB圆片的BCB表面进行键合，完成AlGaAs
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BCB复合材料圆片制作；S6，通过加热熔化粘附剂，移除AlGaAs
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BCB复合材料晶圆上的临时载片，并通过有机溶剂清洗去除残余的粘附剂；S7，在AlGaAs外延层表面上光刻出波导条形，并干...

【专利技术属性】
技术研发人员：牛斌，戴家赟，吴立枢，王飞，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：