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本实用新型公开了一种沟槽高压Ｐ型金属氧化物半导体管，包括兼做衬底的Ｐ型漏区，在Ｐ型漏区上设有Ｐ型外延，在Ｐ型外延上设有Ｎ型阱，在Ｎ型阱上设有Ｐ型源区和Ｎ型接触孔，在Ｎ型阱及Ｐ型外延内设有沟槽，在沟槽内填充有二氧化硅，在沟槽内还设有多晶硅栅且...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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