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一种槽形栅静电感应器件，包括下层为型低阻层、上层为Ｎ－型高阻层的硅衬底片、源区及源电极金属层、栅区及栅电极、漏区及漏电极金属层，硅衬底片的上表面是Ｎ＋型源区，硅衬底片的上表面上开有多于一条的槽，每条槽的底部是Ｐ＋型栅区，硅衬底片的下层低阻层...
该专利属于李思敏所有，仅供学习研究参考，未经过李思敏授权不得商用。

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