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本实用新型公开了一种Ｐ沟道大功率半导体恒电流二极管，它包括Ｎ型半导体衬底（２），在Ｎ型半导体衬底（２）上设有Ｐ型半导体区域（４）和Ｐ型半导体区域（３），Ｐ型半导体区域（４）和Ｐ型半导体区域（３）通过电极（７）连接；在Ｐ型半导体区域（４）上设...
该专利属于贵州大学所有，仅供学习研究参考，未经过贵州大学授权不得商用。

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