温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请提供浮栅型分栅闪存器件结构的制造方法，包括：提供衬底及其上依次形成浮栅介质层、浮栅多晶硅层；沉积第一氮化硅层，刻蚀去除窗口区域的第一氮化硅层；形成第一侧墙介质层；沉积第二氮化硅层，并形成第二侧墙，以第一氮化硅层、第一侧墙介质层以及第二...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。